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计算元器件的结温及热阻值的分析-KIA MOS管
TA是指元器件所处的环境温度，这个值在半导体制造商处的定义如图1所示。然而，在实际的产品中是不可能有这样的环境来满足TA测试条件的。www.kiaic.com/article/detail/4009.html 2023-01-09
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关于MOSFET和散热器的图文分析-KIA MOS管
功率MOSFET、功率BJT和功率二极管等功率器件，散热器对于提供散热非常重要。从名称本身来看，它将吸收功率器件的热量并帮助控制器件内部安全区的温度。www.kiaic.com/article/detail/4008.html 2023-01-09
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如何确定MOSFET所需最小散热器尺寸？-KIA MOS管
假定设计电路中的功率MOSFET的总计算功耗为10W。该器件的最高结温为150℃。考虑到结到外壳还存在温差，那么MOSFET的实际外壳温度必须保持在等于或低于100°C才能可靠运行。www.kiaic.com/article/detail/4007.html 2023-01-09
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【PCB设计】提高超级结MOSFET的性能-KIA MOS管
与传统平面MOSFET技术相比，超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。导通电阻的显著降低和寄生电容的降低虽然有助于提高效率，但也产生电压（dv/dt）和电流（di/dt）的快速开关转换，形成高频噪声和辐射EMI。www.kiaic.com/article/detail/4006.html 2023-01-06
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功率器件结温和壳顶温度差异分析-KIA MOS管
开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器通常会使用功率器件，在设计过程中要测量功率MOSFET或IGBT结温，保证其在合理安全的工作范围，因为功率器件结温与其安全性、可靠性直接相关。www.kiaic.com/article/detail/4005.html 2023-01-06
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平面MOSFET和超级结MOSFET的结构区别-KIA MOS管
比较平面结构和沟槽结构的功率MOSFET，可以发现，超结型结构实际是综合了平面型和沟槽型结构两者的特点，是在平面型结构中开一个低阻抗电流通路的沟槽，因此具有平面型结构的高耐压和沟槽型结构低电阻的特性。www.kiaic.com/article/detail/4004.html 2023-01-06
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平面MOSFET与超级结MOSFET的区别-KIA MOS管
如下图所示，平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时，漂移层会增厚，存在导通电阻增加的课题。而超级结结构是排列多个垂直PN结的结构，可保持耐压的同时降低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷量Qg。www.kiaic.com/article/detail/4003.html 2023-01-05
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线性稳压电源电路图文详解-KIA MOS管
当输入电压Ui升高或负载变轻，引起输出电压Uo升高后，该电压通过R2、RP、R3分压产生的取样电压升高，该电压加到VT2的基极，由于VT2的发射极电位不变，所以VT2导通加强，它的集电极电位下降，也就是使VT1的基极电位下降，致使VT1的输出电压下降到正常值。当输出...www.kiaic.com/article/detail/4002.html 2023-01-05
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【电源电路】可变直流电源电路图-KIA MOS管
该电路使用IC LM338K作为电压调节器，因此我们将获得稳定和稳压的输出。稳压器 IC LM338K 提供最大 5A 的输出电流，以及 1.2 至 32V 的电压，它还具有集成的热和短路保护功能。稳压器输入和输出的最大电压为 35V。www.kiaic.com/article/detail/4001.html 2023-01-05
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图文分享直流电机驱动电路-KIA MOS管
电机驱动器是控制扭矩、位置输出和电机速度的电子设备。驱动器可以对进入电机的负载电流进行普通开关或者PWM控制，从而实现想要的电机工作状态。www.kiaic.com/article/detail/3999.html 2023-01-04
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【电路分享】直流电源的应用电路-KIA MOS管
在实际电路中多采用单相全波整流电路。在整个周期内负载的电压和电流方向始终不变，效率提高一倍。www.kiaic.com/article/detail/3997.html 2023-01-04
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直流电路防反接保护方案图文-KIA MOS管
图中Q1为NMOS管，当电源正接时，MOS管的体二极管导通，源极S的电压为0.7V左右，栅极G的电压VBAT，则Vgs =(VBAT-0.6)*R5/(R5+R3)，当选取合适的R3和R5值，使Vgs达到MOS管的开启电压，则MOS管DS极导通，体二极管被短路，系统通过MOS管形成回路。www.kiaic.com/article/detail/3996.html 2023-01-03
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NMOS管防反保护电路设计-KIA MOS管
设计具有 NMOS 和驱动IC 的防反保护电路时，NMOS 需放置在高边，驱动IC也从高边取电，这里将产生一个大于输入电压 (VIN) 的内部电压，给 NMOS 提供 (VGS)驱动供电。www.kiaic.com/article/detail/3995.html 2023-01-03
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PMOS管的防反电路设计分析-KIA MOS管
当输入端接正向电压时，电流流过 PMOS 的体二极管到负载端，当正向电压高于 PMOS 门限阈值电压，则会导通沟道，PMOS 的 Vds 压降降低，从而实现低损耗。www.kiaic.com/article/detail/3994.html 2023-01-03